三星为次世代游戏显卡开发内存芯片

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三星在开发内存产品上素有心得,他们最新的足迹更伸延至 DRAM 种类。他们最新的HBM2 模块将能提供最高 256GBps(是大写 B 啊,Byte 的意思)的速度,是现时 DDR5 芯片市市上最快的。三星指这款 20nm 制程的芯片是提供予愿意花钱于其产品的服务器生产商。像是 NVIDIA 和 AMD 就能藉此为其显卡产品带来显著的性能提升和改善耗电。

三星正量产四层 8gb 核心的 4GB 模块,然而他们已经计划于年底推出 8 层 8GB 的产品。据该公司的描述,他们这款芯片产品相比 GDDR 5 DRAM,将能让设计师多有 95% 的空间来使用。换句说话,就是新的显卡产品将能更小巧、更快、更冷静。4GB 模块相信会在次世代的消费级显卡上出现,而 8GB 模块则可能应用在 NVIDIA 的 Kepler 和 AMD FirePro 工作站上。

来源: SamsungEngadget

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